原標題:三星將在三年內投資 70 億美元,提升 NAND 晶元在華產能

三星將在三年內投資 70 億美元,提升 NAND 晶元在華產能

據 路透社 報道,三星電子今天宣布,預計未來三年將投資 70 億美元,在中國西安,提升 NAND 內存晶元 (晶片) 產能。

Nand 晶元是一種快閃記憶體晶元,主要用來存儲資料,我們常用的快閃記憶體產品,如快閃記憶體盤、數碼存儲卡都是用 NAND 型快閃記憶體。

這家公司在一份監管文件中表示,70 億美元中的 23 億美元已經在周一獲得批准。

7 月初,三星曾經表示,這家公司將在其西安 NAND 工廠增加一條生產線,但當時並未確定投資金額。對於計劃的 70 億美元投資,以及已經批准的 23 億美元投資對於產能的具體的增量,三星電子一名發言人未做評論。

根據研究顧問機構 IHS 最新數據顯示,三星電子 4-6 月 NAND 內存晶元營收,佔全球比率達 38.3%。

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